手机存储同样有SLC、MLC、TLC之分？

手机作为现代生活中必不可少的工具，几乎人手必备。而选购一款手机的时候，除了手机SOC的性能与操作系统之外，手机存储空间和内存的大小也是选购的重要指标之一。但你是否也想过手机存储同样有SLC、MLC、TLC之分？

答案毋庸置疑是肯定的。应该说所有使用闪存颗粒进行数据存储的都有SLC、MLC、TLC之分，手机当然是不例外的。其实从iphone6开始就有颗粒类型的争议。由于部分版本的iphone6混杂使用了不同厂商的TLC和MLC，而当时TLC方案还不成熟，导致当时iphone6出现所谓的闪存门。有兴趣的小伙伴也能够使用软件查看所使用手机的闪存类型。

UFS3.0

当然，现在大家已经无需担心手机TLC闪存的问题。从iphone8年代开始，手机已经全面使用TLC颗粒。大量手机厂商都证明了，当TLC方案成熟之后，使用TLC闪存并不会影响手机的正常使用，反而有助于提高存储密度。可能是由于手机的大型传输需求较少，手机芯片并没有使用与固态硬盘SLC cache类似的技术。

UFS3.0跑分测试

那TLC、MLC跟UFS3.0、emmc5.1是什么关系？那就跟TLC和SATA是类似的道理。TLC是指闪存颗粒的类型，而UFS3.0是指整个存储器的标准规格，两者与性能均有关系。

小编认为，目前选手机并不需要考虑闪存类型问题。随着手机容量的起始容量逐步上升，MLC颗粒几乎不可能存在，而目前512GB也还在TLC可实现的密度范围无需担心。与其担心闪存颗粒带来寿命问题，不如多赚点钱买个大一点的容量的手机。

理论上只要CPU出厂有过早期消耗期，在CPU最容易坏的“浴缸曲线”前期过去之后，完全可以使用十年或者更久。（那根紫色的线就是CPU的综合寿命周期）

虽然CPU可以使用超级久不坏，但是制约手机寿命的根本不是这一个部件，还有存储颗粒、电池寿命、信号模块等等。随着使用的越多，闪存容量变小同时，闪存写放大也会提升，碎片文件也会变多，给我们使用者的直观感受就是打开app速度变慢了，你以为是CPU不行了实际上是闪存颗粒变慢了、磨损了。另，除非SLC，MLC颗粒，不然eMMC、UFS、NADA、TLC、QLC都是存储过半开始掉速，因为闪存写放大，op空间变小所致。
还有电池，随着APP不断的后台占用，电池的反复充放电，正常使用时的手机的发热发烫传导到电池等等种种原因，电池容量变的越来越小，直观感受就是越来越不耐用电池存不住电了。不光是硬件正常损耗，还有软件，这才是真正的大头。只要连接WiFi没事给你自动升级系统，app没事给你自动升级，还有万恶的tx、wx，动辄十几个G的存储占用，隔段时间就往里加点没有用的小功能来占运存，搞的我一个王者荣耀都没你一个通讯app大。还有购物app某宝、某东、某夕夕，后台自启、权限反复调用、占运存，还占空间贼大直追两大著名通讯软件。手机当然会变卡的拉，这么多在那点可怜兮兮的存储空间里的疯狂占空间占运存的软件，逼的用户一年一换手机。十年前的QQ多么小而全，那时还只有PC端的QQ还没流行智能手机，硬盘占用不足1GB，现在的手机QQ是真的怕了，太老的版本甚至不可以登录，逼着升级app；wx也是巨大无比的臃肿体积，安装上就1GB了，同样老版本不支持登录，各位看官不信可以试试自己装个微信7.10.1是登录不了的。老实说现在我的老小米5 是已经退役不能用了的，因为真的太卡了，完全无法满足日常使用，当年买的时候我也是想着“820啊应该够我用10年了”，但是随着系统和软件的更新就是如今的卡到不能自理，同时开着微信QQ都会有一个被杀掉后台，更别说玩游戏了。我用了3年多吧，现在已经进了勒色桶了，因为看小说都感觉屏幕太小了，翻页时丢帧卡卡的还不如用电脑看。现在的主力机是红米k20pro至尊顶配，855plus日常挂qqwx略微发热，刷的MIUI10.4.4稳定版（机安用户 ）20年4月买的，估计三年也差不多了吧一般手机坏，坏哪的都有，摔屏幕和坏电池最多，很少听说cpu挂了的。

Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括手机、数码相机体等。宏旺半导体也是NAND flash的供应商，旗下的eMMC、UFS都是当下最热门的存储解决方案，今天ICMAX宏旺半导体就来和大家分享下NAND flash的发展历程。

1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。按照存储方式划分，NAND闪存已经发展了四代：

第一代SLC每单元可存储1比特数据(1bits/cell)，性能好、寿命长，可经受10万次编程/擦写循环，但容量低、成本高，如今已经非常罕见；

第二代MLC每单元可存储2比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，现在只有在少数高端SSD中可以见到；

第三代TLC每单元可存储3比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是当前最普及的；

第四代QLC每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。

宏旺半导体注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低，各有利弊。相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10，相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/20。

QLC出现的时间很早，但一直未被人关注过，它真正进入大家的眼睛，应该是从2015年。QLC颗粒跟前几种颗粒相比最大的优势是价格便宜，容量大，虽然P/E寿命低，但是大容量很好的弥补了这个弱点。

目前在SLC、MLC、TLC、QLC闪存颗粒中，TLC已经是主角，QLC是未来发展趋势，TLC又有3D-TLC与2D-TLC两种，3D-TLC又再细分为32层3D-TLC、64层3D-TLC和最新的96层3D-TLC。

SLC是企业级服务器用的，MLC已经逐渐退出市场，目前TLC是普通用户主流存储颗粒。宏旺半导体也有SLC颗粒高性能存储产品，有需要可以来找小旺聊聊。